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MJE15033G

MJE15033G ON

MJE15032,15033.pdf
Produktcode: 27993
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 30 MHz
Spannung Uce, V: 250 V
Spannung Ucb, V: 250 V
Strom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21, max: 70
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE15033G MJE15033G ON Semiconductor mje15032d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE15033G MJE15033G ON Semiconductor mje15032d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12415 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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MJE15033G MJE15033G ON Semiconductor mje15032d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 269 Stücke:
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151+1.12 EUR
152+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
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auf Bestellung 248 Stücke:
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150+1.12 EUR
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auf Bestellung 269 Stücke:
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auf Bestellung 7450 Stücke:
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68+2.56 EUR
250+2.21 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.55 EUR
2500+1.45 EUR
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MJE15033G MJE15033G ONSEMI ONSM-S-A0014421682-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15033G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
107+2.18 EUR
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500+1.62 EUR
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Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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MJE15033G MJE15033G onsemi mje15032-d.pdf Description: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
50+2.74 EUR
100+2.46 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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MJE15033G MJE15033G ON Semiconductor mje15032d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MJE15033G MJE15033G ON Semiconductor mje15032d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
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MJE15033G ON-Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MJE15033G ONS TMJE15033 ons
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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MJE15033G ON Semiconductor MJE15033.pdf Транзистор PNP, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц = 30, hFE = 10 (при 2A, 5 В), VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мА, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
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MJE15033G MJE15033G onsemi mje15032-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A, 2W, 250V Complementary Silicon Plastic Power Transistor
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10+2.26 EUR
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MJE15033G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12400 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
174+1 EUR
176+0.95 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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MJE15033G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
149+1.18 EUR
151+1.12 EUR
152+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
149+1.18 EUR
150+1.12 EUR
152+1.07 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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151+1.14 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7450 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
68+2.56 EUR
250+2.21 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.55 EUR
2500+1.45 EUR
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MJE15033G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE15033G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+4.7 EUR
107+2.18 EUR
130+1.65 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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MJE15033G mje15032-d.pdf
MJE15033G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 822 Stücke:
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100+2.46 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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MJE15033G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MJE15033G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MJE15033G ONS TMJE15033 ons
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц = 30, hFE = 10 (при 2A, 5 В), VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мА, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
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MJE15033G mje15032-d.pdf
MJE15033G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A, 2W, 250V Complementary Silicon Plastic Power Transistor
auf Bestellung 20202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJE15032G (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 28060
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MJE15032,15033.pdf
MJE15032G (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Transitfrequenz fT: 30 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 250 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 250 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 70
Montage: THT
auf Bestellung: 100 St.
  • 100 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.05 EUR
10+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf BD135-D.PDF
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
auf Bestellung: 388 St.
  • 388 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.27 EUR
10+0.25 EUR
100+0.21 EUR
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4,7uF 100V ENR 8x12mm (Non Polar) (ENR4R7M2AB-Hitano) (bipolarer Elektrolytkondensator)
Produktcode: 15854
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ENR_080611.pdf
4,7uF 100V ENR 8x12mm (Non Polar) (ENR4R7M2AB-Hitano) (bipolarer Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 100 V
Reihe: ENR
Typ: bipolar, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 1000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 117 St.
  • 117 St. - stock Köln
auf Bestellung: 7018 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+0.18 EUR
10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
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Sicherung 5x20mm 10A 250V (GT1-4602A-10A/250V)
Produktcode: 22669
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Sicherung 5x20mm 10A 250V (GT1-4602A-10A/250V)
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz, in Glas, 10A 250V 5x20mm F
Nennstrom: 10 A
Größe: 5x20 mm
Bauform: Ohne Anschlüsse
Gehäusematerial: Glas
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Flink
verfügbar: 691 St.
  • 691 St. - stock Köln
erwartet: 10450 St.
  • 5000 St. - erwartet 30.09.2026
  • 5000 St. - erwartet 14.01.2027
  • 450 St. - erwartet
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.098 EUR
10+0.075 EUR
100+0.055 EUR
1000+0.043 EUR
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470uF 35V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR471M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 33061
5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description EXR_080421.pdf
470uF 35V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR471M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+1.19 EUR
10+0.26 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.15 EUR
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