MJE170G
Produktcode: 161611
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Weitere Produktangebote MJE170G nach Preis ab 0.7 EUR bis 2.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MJE170G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 6890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE170G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE170G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP |
auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE170G | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 3A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE170G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 12.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE170G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJE170G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 6890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 868+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| MJE170G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 868+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| MJE170G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.31 EUR |
| 10+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| MJE170G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS PNP 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.64 EUR |
| 13+ | 1.67 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.86 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| MJE170G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 2.75 EUR |
| MJE170G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



