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MJE170G

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Produktcode: 161611
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJE170G MJE170G ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1000 Stücke:
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868+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
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MJE170G MJE170G ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 6890 Stücke:
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MJE170G MJE170G onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A TO-126
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
auf Bestellung 9122 Stücke:
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10+2.31 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
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2000+0.62 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJE170G MJE170G onsemi MJE171-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJE170G MJE170G ONSEMI 1918737.pdf Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
127+1.83 EUR
193+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MJE170G MJE170G ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 165 Stücke:
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auf Bestellung 62 Stücke:
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MJE170G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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MJE170G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE170G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A TO-126
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
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MJE170G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
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MJE170G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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127+1.83 EUR
193+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MJE170G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170G mje171-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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