MJE170G ON Semiconductor
auf Bestellung 6890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 868+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MJE170G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJE170G nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE170G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE170G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
auf Bestellung 9122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE170G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP |
auf Bestellung 686 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE170G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
MJE170G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| MJE170G | Hersteller : ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
|
MJE170G Produktcode: 161611
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
|
|
MJE170G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
MJE170G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |