MJE170G


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Produktcode: 161611
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJE170G MJE170G onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A TO-126
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
auf Bestellung 9122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.94 EUR
15+1.22 EUR
100+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
5000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJE170G MJE170G onsemi MJE171-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A TO-126
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
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AnzahlPreis
10+1.94 EUR
15+1.22 EUR
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500+0.63 EUR
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Hersteller: onsemi
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Hersteller: ON Semiconductor
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