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MJE172G

MJE172G ON Semiconductor

mje171-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details MJE172G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJE172G MJE172G Hersteller : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE172G MJE172G Hersteller : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE172G MJE172G Hersteller : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE172G MJE172G Hersteller : onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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MJE172G MJE172G Hersteller : onsemi MJE171_D-2315848.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
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MJE172G MJE172G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MJE172G MJE172G
Produktcode: 86262 		mje171-d.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
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MJE172G MJE172G Hersteller : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE172G MJE172G Hersteller : ONSEMI MJE172G.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; TO225
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO225
Mounting: THT
Power dissipation: 15W
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJE172G Hersteller : Diodes Incorporated mje171-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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MJE172G MJE172G Hersteller : ONSEMI MJE172G.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; TO225
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO225
Mounting: THT
Power dissipation: 15W
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
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