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MJE172G

MJE172G ON Semiconductor

mje171-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details MJE172G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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MJE172G MJE172G Hersteller : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE172G MJE172G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBCAD4FDD0532469&compId=MJE172G.PDF?ci_sign=3c6dadb8fcbe5fae378ccaa3a3322e208487e487 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
59+1.22 EUR
86+0.84 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
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Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
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MJE172G MJE172G Hersteller : onsemi MJE171_D-1811380.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
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MJE172G MJE172G Hersteller : onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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MJE172G MJE172G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Produktcode: 86262
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