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MJE18008G

MJE18008G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details MJE18008G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 13MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJE18008G MJE18008G ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE18008G MJE18008G ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE18008G MJE18008G onsemi MJE18008-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
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MJE18008G MJE18008G onsemi mje18008-d.pdf Description: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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4+5.81 EUR
50+2.89 EUR
100+2.61 EUR
500+2.12 EUR
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MJE18008G MJE18008G ONSEMI ONSM-S-A0013298799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 483 Stücke:
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40+6.38 EUR
71+3.3 EUR
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MJE18008G MJE18008G ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE18008G MJE18008G ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE18008G ON-Semiconductor mje18008-d.pdf NPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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10+4.8 EUR
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
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MJE18008G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
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Wandlerpolarität: NPN
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NPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
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