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MJE18008G

MJE18008G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details MJE18008G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: -, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 13MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJE18008G MJE18008G ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE18008G MJE18008G onsemi mje18008-d.pdf Description: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
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MJE18008G MJE18008G onsemi mje18008-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
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MJE18008G MJE18008G ONSEMI ONSM-S-A0013298799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: -
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MJE18008G MJE18008G ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
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MJE18008G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: -
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
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