MJE182G ON Semiconductor
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Technische Details MJE182G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJE182G nach Preis ab 0.31 EUR bis 2.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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MJE182G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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MJE182G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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MJE182G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN |
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MJE182G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
auf Bestellung 11535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE182G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 12362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE182G | Hersteller : ON-Semicoductor |
NPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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.JPG "MJE182G") |
MJE182G Produktcode: 62118
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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MJE182G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJE182G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 50...250 Mounting: THT Frequency: 50MHz Kind of package: bulk |
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