Technische Details MJE210 ON
Description: TRANS PNP 25V 5A SOT-32-3, Power - Max: 1.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-32-3, Frequency - Transition: 65MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote MJE210
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MJE210 | On Semiconductor |
 PNP, Uкэ=25V, Iк=5A (10 имп.), h21=10...180, 65МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE200) Транзистори |
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MJE210 | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 25V 5A SOT-32-3 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-32-3 Frequency - Transition: 65MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Tube |
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MJE210 | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 5A TO-126 Power - Max: 15 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 65MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk |
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| MJE210 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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MJE210 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP |
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| MJE210 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
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MJE210 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplifier |
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| MJE210 |
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Hersteller: On Semiconductor
PNP, Uкэ=25V, Iк=5A (10 имп.), h21=10...180, 65МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE200) Транзистори
PNP, Uкэ=25V, Iк=5A (10 имп.), h21=10...180, 65МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE200) Транзистори
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| MJE210 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 25V 5A SOT-32-3
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-32-3
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Description: TRANS PNP 25V 5A SOT-32-3
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-32-3
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
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| MJE210 |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
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| MJE210 |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
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Stück im Wert von UAH
| MJE210 |
|
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
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Stück im Wert von UAH
| MJE210 |
|
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
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Stück im Wert von UAH
| MJE210 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplifier
Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplifier
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH