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MJE243G

MJE243G ON Semiconductor

mje243-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details MJE243G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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MJE243G MJE243G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D4DC6B5DBC143&compId=MJE253G.pdf?ci_sign=1e5839339a0c96363578a7e96740b7bcf7392b66 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
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MJE243G MJE243G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D4DC6B5DBC143&compId=MJE253G.pdf?ci_sign=1e5839339a0c96363578a7e96740b7bcf7392b66 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
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Kind of package: bulk
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MJE243G MJE243G Hersteller : onsemi MJE243_D-1811619.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
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MJE243G MJE243G Hersteller : onsemi mje243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
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MJE243G MJE243G Hersteller : ONSEMI 1911607.pdf Description: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MJE243G MJE243G Hersteller : ON Semiconductor mje243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE243G Hersteller : ON-Semicoductor mje243-d.pdf NPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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