MJE270G ON Semiconductor
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Technische Details MJE270G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE, Transistormontage: Durchsteckmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 15W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MJE270G | Hersteller : onsemi |
 Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN |
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MJE270G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V Frequency - Transition: 6MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W |
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MJE270G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE Transistormontage: Durchsteckmontage Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 15W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A |
auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE270G | Hersteller : ONSEMI |
MJE270G NPN THT Darlington transistors |
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MJE270G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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MJE270G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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MJE270G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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MJE270G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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