MJE270TG onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.34 EUR |
| 50+ | 1.11 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
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Technische Details MJE270TG onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V, Frequency - Transition: 6MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.5 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| MJE270TG | onsemi |
Darlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MJE270TG | ON Semiconductor |
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJE270TG |
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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| MJE270TG |
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Hersteller: ON Semiconductor
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