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MJE2955TG

MJE2955TG ON Semiconductor

mje2955t-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 673 Stücke:
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Technische Details MJE2955TG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 75W, SVHC: Lead (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJE2955TG MJE2955TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 673 Stücke:
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177+0.98 EUR
215+0.77 EUR
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MJE2955TG MJE2955TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE2955TG MJE2955TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE2955TG MJE2955TG ONSEMI mje2955t-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.87 EUR
93+0.92 EUR
107+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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MJE2955TG MJE2955TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
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500+1.48 EUR
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MJE2955TG MJE2955TG onsemi mje2955t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.95 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJE2955TG MJE2955TG ONSEMI ONSM-S-A0011213330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
109+2.13 EUR
160+1.34 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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MJE2955TG MJE2955TG onsemi mje2955t-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.11 EUR
50+2.51 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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auf Bestellung 725 Stücke:
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MJE2955TG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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177+0.98 EUR
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MJE2955TG
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
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93+0.92 EUR
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500+1.48 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+2.83 EUR
10+1.95 EUR
100+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJE2955TG ONSM-S-A0011213330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE2955TG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 534 Stücke:
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75+3.38 EUR
109+2.13 EUR
160+1.34 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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5+5.11 EUR
50+2.51 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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