MJE2955TTU Fairchild
Hersteller: Fairchild
PNP 60V 10A 0.6W 2MHz MJE2955TTU Fairchild TMJE2955t FAI
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.15 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MJE2955TTU Fairchild
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 75 W.
Weitere Produktangebote MJE2955TTU
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
MJE2955TTU | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJE2955TTU | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
|
MJE2955TTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJE2955TTU |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MJE2955TTU |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MJE2955TTU |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


