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MJE3055T (Bipolartransistor NPN)

MJE3055T (Bipolartransistor NPN)

MJE3055T, MJE2955T.pdf
Produktcode: 26410
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 70
Ic,A: 10
h21: 100
ZCODE: THT
verfügbar 13 Stück:
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MJE3055T MJE3055T
Produktcode: 190953
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Hersteller : JSMICRO MJE3055T-ds.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
ZCODE: THT
auf Bestellung 95 Stück:
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MJE3055T MJE3055T
Produktcode: 190953
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Hersteller : JSMICRO MJE3055T-ds.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
ZCODE: THT
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
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1000+0.66 EUR
2000+0.61 EUR
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+0.66 EUR
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Anzahl Preis
128+1.12 EUR
143+0.97 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 128
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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64+2.25 EUR
128+1.08 EUR
143+0.93 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS28953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : MULTICOMP PRO 2864206.pdf Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE3055T Hersteller : JSMicro Semiconductor en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf Transistor NPN; 70; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJE3055T Hersteller : ST en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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MJE3055T Hersteller : ST en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0F62945936469&compId=MJE3055T.pdf?ci_sign=acf5f4844b678edb3a8796960835d13164eb39e8 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000929.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : onsemi mje2955t-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : onsemi MJE2955T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0F62945936469&compId=MJE3055T.pdf?ci_sign=acf5f4844b678edb3a8796960835d13164eb39e8 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
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MJE2955T
Produktcode: 57977
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mje2955t-datasheet.pdf
MJE2955T
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 2 MHz
U, V: 60
U, V: 70
I, А: 10
verfügbar: 31 Stück
23 Stück - stock Köln
8 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.29 EUR
100+0.22 EUR
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1SMA5916BT3G
Produktcode: 25932
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description 1sma5913bt3-d.pdf
1SMA5916BT3G
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SMA
Ustab.,V: 4,3
Istab.direkt,A: 0,349
Pmax: 0,5
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -
auf Bestellung 29 Stück:
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2SB772
Produktcode: 24240
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2SB772.pdf
2SB772
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
U, V: 30
U, V: 40
I, А: 3
h21,max: 400
auf Bestellung 414 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30 Stück:
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD882P (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31893
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2sd882.pdf
2SD882P (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: UTC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 40
Ic,A: 3
h21: 400
ZCODE: THT
verfügbar: 261 Stück
60 Stück - stock Köln
201 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.15 EUR
100+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024
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2N5551.pdf
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 33 Stück
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.045 EUR
100+0.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH