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MJE344G

MJE344G ON Semiconductor

MJE344_D-2315821.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
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Technische Details MJE344G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 200V 0.5A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 15MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 20 W.

Weitere Produktangebote MJE344G nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJE344G ON Semiconductor mje344-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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