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MJE350

MJE350 STMicroelectronics

435cd00000930.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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Technische Details MJE350 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20.8W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJE350 MJE350 Hersteller : STMicroelectronics 435cd00000930.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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MJE350 MJE350 Hersteller : STMicroelectronics 435cd00000930.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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MJE350 MJE350 Hersteller : STMicroelectronics 435cd00000930.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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MJE350 MJE350 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0FF589EEE4469&compId=MJE350.pdf?ci_sign=0af16ca7eeb4c2676165d0c60fb81946b4830d71 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
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129+0.56 EUR
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236+0.3 EUR
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500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 129
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MJE350 MJE350 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0FF589EEE4469&compId=MJE350.pdf?ci_sign=0af16ca7eeb4c2676165d0c60fb81946b4830d71 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJE350 MJE350 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000930.pdf MJE350.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
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MJE350 MJE350 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000930.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
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11+1.72 EUR
50+0.79 EUR
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500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
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MJE350 MJE350 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MJE350.pdf Description: TRANS PNP 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
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9+2.11 EUR
14+1.34 EUR
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500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJE350 MJE350 Hersteller : STMicroelectronics 435cd00000930.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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MJE350 MJE350 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861473.pdf Description: MULTICOMP PRO - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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MJE350 MJE350 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS30871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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MJE350 Hersteller : ST en.CD00000930.pdf MJE350.pdf PNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Anzahl Preis
50+0.93 EUR
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MJE350 MJE350
Produktcode: 34450
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Hersteller : Fairchild mje-350-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
U, V: 300 V
U, V: 300 V
I, А: 0,5 A
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MJE350 Hersteller : ST en.CD00000930.pdf MJE350.pdf PNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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MJE350 Hersteller : STMicroelectronics NV en.CD00000930.pdf MJE350.pdf PNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 (компл. MJE340)
auf Bestellung 2669 Stücke:
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MJE350 MJE350 Hersteller : onsemi MJE350_D-2315746.pdf Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
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MJE350 Hersteller : STMicroelectronics 435cd00000930.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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