MJE371G

MJE371G ON Semiconductor


mje371-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details MJE371G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 40V 4A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 40 W.

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Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
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MJE371G MJE371G Hersteller : onsemi MJE371_D-2316041.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 40V 40W PNP
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