MJE4343
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Technische Details MJE4343
Description: TRANS NPN 160V 16A SOT-93, Packaging: Tube, Package / Case: TO-218-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A, Current - Collector Cutoff (Max): 750µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V, Frequency - Transition: 1MHz, Supplier Device Package: SOT-93, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 125 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MJE4343 | onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 16A SOT-93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 750µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 125 W |
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| MJE4343 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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MJE4343 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN |
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| MJE4343 |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
Description: TRANS NPN 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
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| MJE4343 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
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| MJE4343 |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
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