MJE5731A
Produktcode: 151453
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MJE5731A | On Semiconductor |
PNP 1A 375V TO220AB Транзистори |
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MJE5731A | onsemi |
Description: TRANS PNP 375V 1A TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 10MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V |
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MJE5731A | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP |
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| MJE5731A |
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Hersteller: On Semiconductor
PNP 1A 375V TO220AB Транзистори
PNP 1A 375V TO220AB Транзистори
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| MJE5731A |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Description: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
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| MJE5731A |
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP
Bipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP
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