MJE5852G
Produktcode: 115058
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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MJE5852G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE5852G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE5852G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 10726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE5852G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE5852G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE5852G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE5852G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP |
auf Bestellung 2578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE5852G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 400V 8A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE5852G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE5852G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MJE5852G | Hersteller : On Semiconductor |
PNP 8A 400V TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DP200A2123XBT.GN Produktcode: 24992
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Hersteller: Sunon
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 120x120x38
Spannung, V: 230 AC
Luftvolumen, m3/Stunde: 165
Leistung, Watt: 22
Lärm, dB: 45
Rotationsgeschwindigkeit, r/min: 2850
Beschreibung: Lager roll-on-
ZCODE: 8414592098
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 120x120x38
Spannung, V: 230 AC
Luftvolumen, m3/Stunde: 165
Leistung, Watt: 22
Lärm, dB: 45
Rotationsgeschwindigkeit, r/min: 2850
Beschreibung: Lager roll-on-
ZCODE: 8414592098
auf Bestellung 209 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.75 EUR |
| IRFPG50PBF Produktcode: 23069
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 1000
Idd,A: 06.01.2015
Rds(on), Ohm: 2
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 1000
Idd,A: 06.01.2015
Rds(on), Ohm: 2
JHGF: THT
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