MJE5852G


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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJE5852G MJE5852G ON Semiconductor mje5850d.pdf Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.95 EUR
100+2.8 EUR
250+2.68 EUR
400+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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MJE5852G MJE5852G ON Semiconductor mje5850d.pdf Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.95 EUR
100+2.74 EUR
250+2.58 EUR
400+2 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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MJE5852G MJE5852G ON Semiconductor mje5850d.pdf Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10726 Stücke:
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197+3.4 EUR
500+3.18 EUR
1000+2.94 EUR
10000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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MJE5852G MJE5852G ON Semiconductor mje5850d.pdf Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 84 Stücke:
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39+4.61 EUR
41+4.27 EUR
52+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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auf Bestellung 200 Stücke:
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50+5.58 EUR
100+4.83 EUR
200+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJE5852G MJE5852G ON Semiconductor mje5850d.pdf Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 288 Stücke:
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25+7.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MJE5852G MJE5852G onsemi MJE5850-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP
auf Bestellung 2578 Stücke:
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10+4.02 EUR
100+3.69 EUR
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MJE5852G MJE5852G onsemi mje5850-d.pdf Description: TRANS PNP 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.96 EUR
50+4.08 EUR
100+3.71 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MJE5852G MJE5852G ONSEMI mje5850-d.pdf Description: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.47 EUR
47+5.03 EUR
100+4.2 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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MJE5852G MJE5852G ONSEMI MJE5852.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 15
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 8A
Mounting: THT
auf Bestellung 44 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+2.95 EUR
100+2.8 EUR
250+2.68 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
197+3.4 EUR
500+3.18 EUR
1000+2.94 EUR
10000+2.7 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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50+5.58 EUR
100+4.83 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+7.18 EUR
50+6.49 EUR
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MJE5852G MJE5850-D.PDF
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP
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10+4.02 EUR
100+3.69 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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47+5.03 EUR
100+4.2 EUR
500+3.45 EUR
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MJE5852G MJE5852.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 15
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 8A
Mounting: THT
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Lüfter 120x120x38, 230V, (DP200A2123XBT)
Produktcode: 24992
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Hersteller: Sunon
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 120x120x38 mm
Spannung, V: 230 AC
Luftvolumen, m³/h: 165 m³/h
Leistung, W: 22 W
Lärm, dB: 45 dB
Drehzahl, rpm: 2850 rpm
Beschreibung: Kugellager
ZCODE: 8414 59 20 98
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AnzahlPrivatkunde
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10+20.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBF
Produktcode: 23069
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91254.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 V
Drain-Strom Idd, A: 6,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Montage: THT
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