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Technische Details IRFPG50PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFPG50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFPG50PBF nach Preis ab 2.23 EUR bis 7.29 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFPG50PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC Case: TO247AC Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3.9A On-state resistance: 2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFPG50PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC Case: TO247AC Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3.9A On-state resistance: 2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFPG50PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
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IRFPG50PBF Produktcode: 23069
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Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-247 Uds,V: 1000 Idd,A: 06.01.2015 Rds(on), Ohm: 2 JHGF: THT |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFPG50PBF | Hersteller : Vishay |
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