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IRFPG50PBF

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91254.pdf
Produktcode: 23069
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 1000
Idd,A: 06.01.2015
Rds(on), Ohm: 2
JHGF: THT
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IRFPG50PBF IRFPG50PBF Hersteller : Vishay 91254.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFPG50PBF IRFPG50PBF Hersteller : VISHAY IRFPG50PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 2Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 190W
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IRFPG50PBF IRFPG50PBF Hersteller : Vishay 91254.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFPG50PBF IRFPG50PBF Hersteller : Vishay 91254.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFPG50PBF IRFPG50PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91254.pdf MOSFETs TO247 1KV 6.1A N-CH MOSFET
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IRFPG50PBF IRFPG50PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91254.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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IRFPG50PBF IRFPG50PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0014407243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFPG50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRFPG50PBF 91254.pdf IRFPG50PBF Транзисторы HEXFET
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IRFPG50PBF Hersteller : Vishay Siliconix IRFPG50.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 6,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25, Qg, нКл = 190 @ 10 В, Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 190, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Produktcode: 24992
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DP200A2123XBT.GN
Hersteller: Sunon
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 120x120x38
Spannung, V: 230 AC
Luftvolumen, m3/Stunde: 165
Leistung, Watt: 22
Lärm, dB: 45
Rotationsgeschwindigkeit, r/min: 2850
Beschreibung: Lager roll-on-
ZCODE: 8414592098
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