MJE800 ON Semiconductor
Hersteller: ON SemiconductorТранзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 60; Ic = 4; hFE = 750 @ 2 A, 3 V; Icutoff-max = 100; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 2 A, 40 mA; Р, Вт = 40 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3
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Technische Details MJE800 ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 60; Ic = 4; hFE = 750 @ 2 A, 3 V; Icutoff-max = 100; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 2 A, 40 mA; Р, Вт = 40 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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.JPG "MJE800") |
MJE800 | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: TRANS NPN 60V 4A TO225AA |
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MJE800 | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 4A 60V Bipolar |
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