MJE803STU onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-126-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MJE803STU onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3, Power - Max: 40 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Supplier Device Package: TO-126-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote MJE803STU
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE803STU | onsemi / Fairchild |
Darlington Transistors NPN Transisitor Epitaxial Darlington |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJE803STU |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
Darlington Transistors NPN Transisitor Epitaxial Darlington
Darlington Transistors NPN Transisitor Epitaxial Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH