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MJF127G

MJF127G onsemi

mjf122-d.pdf
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 5A 100V Bipolar Power PNP
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Technische Details MJF127G onsemi

Description: ONSEMI - MJF127G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 2 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 2W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-220, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 5A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJF127G MJF127G ON Semiconductor mjf122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF127G MJF127G ON Semiconductor mjf122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF127G MJF127G ONSEMI ONSMS15141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJF127G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 2 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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68+3.7 EUR
82+2.83 EUR
102+2.11 EUR
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MJF127G MJF127G onsemi mjf122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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4+5.43 EUR
50+2.68 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.67 EUR
5000+1.52 EUR
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MJF127G ON SEMICONDUCTOR mjf122-d.pdf TRANS DARL PNP 5A 100V TO220FP (Fullpack)
auf Bestellung 24 Stücke:
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MJF127G ON Semiconductor MJF122-D-7.PDF Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = PNP, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, hFE = 2000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 20 мA, 5 А, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP О
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 45 Stücke:
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Description: ONSEMI - MJF127G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 2 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s)
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euEccn: NLR
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Qualifikation: -
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Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 5A
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Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = PNP, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, hFE = 2000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 20 мA, 5 А, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP О
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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