MJF15031
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Technische Details MJF15031
Description: TRANS PNP 150V 8A TO-220FP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Supplier Device Package: TO-220FP, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MJF15031 | onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 8A TO-220FP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Supplier Device Package: TO-220FP Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A |
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| MJF15031 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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MJF15031 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 36W PNP |
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| MJF15031 |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 8A TO-220FP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220FP
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Description: TRANS PNP 150V 8A TO-220FP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220FP
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
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| MJF15031 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 36W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 36W PNP
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