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MJF45H11G

MJF45H11G ON Semiconductor

mjf44h11-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details MJF45H11G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJF45H11G MJF45H11G Hersteller : ON Semiconductor mjf44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF45H11G MJF45H11G Hersteller : ON Semiconductor mjf44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF45H11G MJF45H11G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA8FFF8A5C6B51CC&compId=MJF44H11G-DTE.PDF?ci_sign=adb03b109efa686f7d16497074d94fbfd1825781 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Case: TO220FP
Current gain: 60
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 116 Stücke:
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33+2.17 EUR
38+1.9 EUR
52+1.4 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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MJF45H11G MJF45H11G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA8FFF8A5C6B51CC&compId=MJF44H11G-DTE.PDF?ci_sign=adb03b109efa686f7d16497074d94fbfd1825781 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Case: TO220FP
Current gain: 60
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
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MJF45H11G MJF45H11G Hersteller : onsemi MJF44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
auf Bestellung 7768 Stücke:
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10+1.37 EUR
100+1.18 EUR
500+1.04 EUR
700+0.95 EUR
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MJF45H11G MJF45H11G Hersteller : onsemi mjf44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.34 EUR
50+1.62 EUR
100+1.46 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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MJF45H11G MJF45H11G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJF45H11G
Produktcode: 169243
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