MJF45H11G
Produktcode: 169243
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Weitere Produktangebote MJF45H11G nach Preis ab 1.08 EUR bis 5.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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MJF45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJF45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJF45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJF45H11G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP Mounting: THT Collector current: 10A Power dissipation: 50W Current gain: 60 Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 40MHz Polarisation: bipolar Case: TO220FP Type of transistor: PNP Kind of package: tube |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJF45H11G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 1617 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJF45H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP |
auf Bestellung 5289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJF45H11G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJF45H11G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 144+ | 1.21 EUR |
| MJF45H11G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 1.57 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 700+ | 1.08 EUR |
| MJF45H11G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 108+ | 1.62 EUR |
| 250+ | 1.46 EUR |
| MJF45H11G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 40MHz
Polarisation: bipolar
Case: TO220FP
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 40MHz
Polarisation: bipolar
Case: TO220FP
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 2.64 EUR |
| 41+ | 2.11 EUR |
| 53+ | 1.62 EUR |
| MJF45H11G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.92 EUR |
| 50+ | 1.9 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| MJF45H11G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
auf Bestellung 5289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4 EUR |
| 10+ | 2.18 EUR |
| 100+ | 1.51 EUR |
| MJF45H11G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 5.27 EUR |
| 114+ | 2.05 EUR |
| 128+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |





