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MJK31CTWG ONSEMI


3917123.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
201+1.25 EUR
258+0.9 EUR
285+0.75 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
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Technische Details MJK31CTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJK31CTWG MJK31CTWG ONSEMI 3917123.pdf Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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201+1.25 EUR
258+0.9 EUR
285+0.75 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJK31CTWG MJK31CTWG onsemi mjk31c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Power - Max: 2.7 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJK31CTWG onsemi MJK31C_D-3150316.pdf Bipolar Transistors - BJT Power Transistor 100 V, 3 A General Purpose NPN NPN Transistor, 100V, 3A
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.48 EUR
100+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJK31CTWG 3917123.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Power - Max: 2.7 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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MJK31CTWG MJK31C_D-3150316.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Power Transistor 100 V, 3 A General Purpose NPN NPN Transistor, 100V, 3A
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10+1.48 EUR
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