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MJW21194
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Technische Details MJW21194
Description: TRANS NPN 250V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 200 W.
Weitere Produktangebote MJW21194
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MJW21194 | onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 200 W |
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MJW21194 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN |
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| MJW21194 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
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