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MMBF0201NLT1G

MMBF0201NLT1G ON Semiconductor

mmbf0201nlt1d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBF0201NLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G onsemi mmbf0201nlt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G ON Semiconductor mmbf0201nlt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G ON Semiconductor mmbf0201nlt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G ON Semiconductor mmbf0201nlt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5675 Stücke:
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1200+0.14 EUR
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G ON Semiconductor mmbf0201nlt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3784 Stücke:
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875+0.2 EUR
1155+0.14 EUR
1227+0.13 EUR
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 875 Stücke
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G ON Semiconductor mmbf0201nlt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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726+0.25 EUR
1180+0.14 EUR
1632+0.1 EUR
1927+0.082 EUR
2189+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 726 Stücke
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G ON Semiconductor mmbf0201nlt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3784 Stücke:
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412+0.43 EUR
587+0.3 EUR
668+0.25 EUR
875+0.18 EUR
1155+0.13 EUR
1227+0.11 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G onsemi mmbf0201nlt1-d.pdf MOSFETs 20V 300mA N-Channel
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5+0.61 EUR
11+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G onsemi mmbf0201nlt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
55+0.39 EUR
76+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G ONSEMI 2353748.pdf Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 2938 Stücke:
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334+0.75 EUR
752+0.31 EUR
863+0.25 EUR
1162+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G ONSEMI 2353748.pdf Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.75 EUR
752+0.31 EUR
863+0.25 EUR
1162+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBF0201NLT1G ON-Semiconductor mmbf0201nlt1-d.pdf Transistor: N-MOSFET ; unipolar ; 20V ; 0,24A ; 0,225W ; SOT23 Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 MMBF0201NLT1G TMMBF0201n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
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200+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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MMBF0201NLT1G mmbf0201nlt1-d.pdf
MMBF0201NLT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
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MMBF0201NLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
12000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBF0201NLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBF0201NLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1200+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
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MMBF0201NLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
875+0.2 EUR
1155+0.14 EUR
1227+0.13 EUR
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 875 Stücke
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MMBF0201NLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
726+0.25 EUR
1180+0.14 EUR
1632+0.1 EUR
1927+0.082 EUR
2189+0.07 EUR
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MMBF0201NLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3784 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
412+0.43 EUR
587+0.3 EUR
668+0.25 EUR
875+0.18 EUR
1155+0.13 EUR
1227+0.11 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
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MMBF0201NLT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 20V 300mA N-Channel
auf Bestellung 2817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.61 EUR
11+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBF0201NLT1G mmbf0201nlt1-d.pdf
MMBF0201NLT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+0.63 EUR
55+0.39 EUR
76+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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MMBF0201NLT1G 2353748.pdf
MMBF0201NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
334+0.75 EUR
752+0.31 EUR
863+0.25 EUR
1162+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF0201NLT1G 2353748.pdf
MMBF0201NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.75 EUR
752+0.31 EUR
863+0.25 EUR
1162+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF0201NLT1G mmbf0201nlt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor: N-MOSFET ; unipolar ; 20V ; 0,24A ; 0,225W ; SOT23 Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 MMBF0201NLT1G TMMBF0201n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH