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MMBF0201NLT1G

MMBF0201NLT1G ON Semiconductor

mmbf0201nlt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBF0201NLT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 225mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V.

Weitere Produktangebote MMBF0201NLT1G nach Preis ab 0.062 EUR bis 0.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G ON Semiconductor mmbf0201nlt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G onsemi mmbf0201nlt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G ON Semiconductor mmbf0201nlt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G ON Semiconductor mmbf0201nlt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G onsemi mmbf0201nlt1-d.pdf MOSFETs 20V 300mA N-Channel
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G onsemi mmbf0201nlt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
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Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G ON Semiconductor mmbf0201nlt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF0201NLT1G ON-Semiconductor mmbf0201nlt1-d.pdf Transistor: N-MOSFET ; unipolar ; 20V ; 0,24A ; 0,225W ; SOT23 Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 MMBF0201NLT1G TMMBF0201n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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922+0.17 EUR
1188+0.12 EUR
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10+0.38 EUR
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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Vgs (Max): ±20V
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Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor: N-MOSFET ; unipolar ; 20V ; 0,24A ; 0,225W ; SOT23 Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 MMBF0201NLT1G TMMBF0201n
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