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MMBF170-7-F

MMBF170-7-F Diodes Zetex

mmbf170.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBF170-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBF170-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBF170-7-F MMBF170-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbf170.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170-7-F MMBF170-7-F Hersteller : Diodes Incorporated MMBF170.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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MMBF170-7-F MMBF170-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbf170.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170-7-F MMBF170-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbf170.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170-7-F MMBF170-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBF170.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5524 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
575+0.12 EUR
742+0.10 EUR
831+0.09 EUR
2393+0.03 EUR
2526+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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MMBF170-7-F MMBF170-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBF170.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
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MMBF170-7-F MMBF170-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30104-3214603.pdf MOSFETs 60V 225mW
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MMBF170-7-F MMBF170-7-F Hersteller : Diodes Incorporated MMBF170.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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MMBF170-7-F MMBF170-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013316651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBF170-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBF170-7-F MMBF170-7-F Hersteller : Diodes Inc mmbf170.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
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MMBF170-7-F MMBF170-7-F Hersteller : DIODES INC. MMBF170.pdf Description: DIODES INC. - MMBF170-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBF170-7-F MMBF170-7-F Hersteller : Diodes Inc mmbf170.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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