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MMBF2201NT1G

MMBF2201NT1G ON Semiconductor

mmbf2201nt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details MMBF2201NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf2201nt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
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MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G Hersteller : onsemi mmbf2201nt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
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Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
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MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf2201nt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
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486+0.3 EUR
903+0.15 EUR
951+0.14 EUR
1095+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 486
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MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G Hersteller : ONSEMI mmbf2201nt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 750A
On-state resistance: 1Ω
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
274+0.26 EUR
371+0.19 EUR
424+0.17 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G Hersteller : ONSEMI mmbf2201nt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 750A
On-state resistance: 1Ω
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
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MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf2201nt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
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311+0.47 EUR
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486+0.28 EUR
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951+0.12 EUR
1095+0.1 EUR
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6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 311
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MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G Hersteller : onsemi mmbf2201nt1-d.pdf MOSFETs 20V 300mA N-Channel
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10+0.39 EUR
100+0.2 EUR
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6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G Hersteller : onsemi mmbf2201nt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
auf Bestellung 34675 Stücke:
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29+0.62 EUR
49+0.37 EUR
100+0.2 EUR
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1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013776876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4830 Stücke:
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MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013776876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4830 Stücke:
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