
MMBF4391LT1G onsemi

Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.13 EUR |
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Technische Details MMBF4391LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMBF4391LT1G nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.74 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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MMBF4391LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF4391LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 30Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1177 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBF4391LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 30Ω |
auf Bestellung 1177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF4391LT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 85107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBF4391LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V |
auf Bestellung 12468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBF4391LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF4391LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF4391LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF4391LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2555 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBF4391LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBF4391LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBF4391LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBF4391LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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