Weitere Produktangebote MMBF4393LT1G nach Preis ab 0.094 EUR bis 1.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MMBF4393LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF4393LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF4393LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF4393LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V On-state resistance: 100Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA |
auf Bestellung 1066 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF4393LT1G | Hersteller : onsemi |
JFETs 30V 10mA |
auf Bestellung 75457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBF4393LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF4393LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBF4393LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBF4393LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |