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MMBF4393LT3G

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Transistoren > MOSFET N-CH

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MMBF4393LT3G MMBF4393LT3G ON Semiconductor mmbf4391lt1-d.pdf Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF4393LT3G MMBF4393LT3G onsemi mmbf4391lt1-d.pdf Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
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MMBF4393LT3G MMBF4393LT3G onsemi mmbf4391lt1-d.pdf Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
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MMBF4393LT3G MMBF4393LT3G onsemi mmbf4391lt1-d.pdf JFETs SS JFET NCH 30V TR
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Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
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Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
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Hersteller: Osram
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 50 В
Spektralbereich 0.5, nm: 750-1100 нм
Spektrales Maximum, nm: 900 нм
Anstiegs-/Abfallzeit Ton/Tof, µs: 0,005/0,005 µc
Zusätzlich: Fotodiode, schwarze abgeflachte Linse, 5 mm
Typ: Fotodiode
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