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MMBFJ110

MMBFJ110 onsemi

mmbfj110-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 25V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 460 mW
Resistance - RDS(On): 18 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 15 V
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details MMBFJ110 onsemi

Description: JFET N-CH 25V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Power - Max: 460 mW, Resistance - RDS(On): 18 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBFJ110 MMBFJ110 ONSEMI mmbfj110-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 18Ω
auf Bestellung 2814 Stücke:
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100+0.86 EUR
120+0.71 EUR
137+0.62 EUR
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500+0.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MMBFJ110 MMBFJ110 onsemi / Fairchild mmbfj110-d.pdf JFETs N-CH FET/SSOT-23
auf Bestellung 798 Stücke:
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10+0.75 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
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MMBFJ110 MMBFJ110 onsemi mmbfj110-d.pdf JFETs N-CH FET/SSOT-23
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MMBFJ110 MMBFJ110 onsemi mmbfj110-d.pdf Description: JFET N-CH 25V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 460 mW
Resistance - RDS(On): 18 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 15 V
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 18Ω
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Description: JFET N-CH 25V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
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