MMBFJ111
Produktcode: 184622
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MMBFJ111 | Hersteller : onsemi |
Description: JFET N-CH 35V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBFJ111 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 20mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -35V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 30Ω |
auf Bestellung 2997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ111 | Hersteller : onsemi |
JFETs N-Channel Switch |
auf Bestellung 16525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBFJ111 | Hersteller : onsemi |
Description: JFET N-CH 35V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V |
auf Bestellung 50872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBFJ111 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ111 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBFJ111 | Hersteller : Fairchild |
N-JFET 50mA 35V 350mW (=PMBFJ111) MMBFJ111 TMMBFJ111 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1275 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBFJ111 | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 35, Id = 50 мА, Rds = 30 Ом, Ugs(th) = 3 В @ 1 мкА, Р, Вт = 0,36, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 50 Stücke: |
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MMBFJ111 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MMBFJ111 | Hersteller : ONS/FAI |
JFET N-CH 35V SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |