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MMBFJ175LT1G

mmbfj175lt1-d.pdf
Produktcode: 198993
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G onsemi mmbfj175lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ONSEMI MMBFJ175LT1G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Drain current: 7mA
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 202 Stücke:
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193+0.44 EUR
199+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3428 Stücke:
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316+0.56 EUR
472+0.37 EUR
500+0.35 EUR
630+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
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MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.95 EUR
302+0.56 EUR
316+0.52 EUR
472+0.33 EUR
500+0.3 EUR
630+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G onsemi mmbfj175lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
auf Bestellung 4070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
35+0.6 EUR
100+0.38 EUR
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1000+0.25 EUR
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MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G onsemi mmbfj175lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
auf Bestellung 83825 Stücke:
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3+1.46 EUR
10+1.01 EUR
100+0.64 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
auf Bestellung 5681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
auf Bestellung 5681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ONSEMI 1840605.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
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MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Hersteller: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G.pdf
MMBFJ175LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Drain current: 7mA
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
193+0.44 EUR
199+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
316+0.56 EUR
472+0.37 EUR
500+0.35 EUR
630+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
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MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
186+0.95 EUR
302+0.56 EUR
316+0.52 EUR
472+0.33 EUR
500+0.3 EUR
630+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Hersteller: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
auf Bestellung 4070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+0.96 EUR
35+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Hersteller: onsemi
JFETs 25V 10mA
auf Bestellung 83825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.46 EUR
10+1.01 EUR
100+0.64 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ175LT1G ONSM-S-A0013299254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBFJ175LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
auf Bestellung 5681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ175LT1G ONSM-S-A0013299254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBFJ175LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
auf Bestellung 5681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ175LT1G 1840605.pdf
MMBFJ175LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH