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Technische Details MMBFJ175LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMBFJ175LT1G nach Preis ab 0.10 EUR bis 0.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 125 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 7mA On-state resistance: 125Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 7mA On-state resistance: 125Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : onsemi |
JFETs 25V 10mA |
auf Bestellung 63030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 125 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ175LT1G Produktcode: 198993
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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MMBFJ175LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
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