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MMBFJ175LT3G

MMBFJ175LT3G onsemi

mmbfj175lt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
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Technische Details MMBFJ175LT3G onsemi

Description: JFET P-CH 30V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS), Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Power - Max: 225 mW, Resistance - RDS(On): 125 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBFJ175LT3G MMBFJ175LT3G ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
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