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MMBFJ201

MMBFJ201 ON Semiconductor

mmbfj202-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBFJ201 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBFJ201 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 200µA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBFJ201 MMBFJ201 Hersteller : ON Semiconductor mmbfj202-d.pdf Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFJ201 MMBFJ201 Hersteller : ON Semiconductor mmbfj202-d.pdf Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFJ201 MMBFJ201 Hersteller : onsemi mmbfj202-d.pdf Description: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 20 V
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MMBFJ201 MMBFJ201 Hersteller : ONSEMI MMBFJ201_MMBFJ202.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Gate current: 50mA
Drain current: 200µA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Case: SOT23
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
154+0.47 EUR
202+0.35 EUR
261+0.27 EUR
368+0.19 EUR
459+0.16 EUR
486+0.15 EUR
506+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 154
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MMBFJ201 MMBFJ201 Hersteller : ONSEMI MMBFJ201_MMBFJ202.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Gate current: 50mA
Drain current: 200µA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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202+0.35 EUR
261+0.27 EUR
368+0.19 EUR
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MMBFJ201 MMBFJ201 Hersteller : onsemi mmbfj202-d.pdf Description: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 20 V
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24+0.76 EUR
39+0.46 EUR
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500+0.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 24
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MMBFJ201 MMBFJ201 Hersteller : onsemi / Fairchild mmbfj202-d.pdf JFETs N-Channel Transistor General Purpose
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MMBFJ201 MMBFJ201 Hersteller : ONSEMI 3920020.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ201 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 200µA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22132 Stücke:
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MMBFJ201 MMBFJ201 Hersteller : ONSEMI 3920020.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ201 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Produktcode: 52969
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MMBFJ201 MMBFJ201 Hersteller : ONSEMI 2304178.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ201 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 200µA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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MMBFJ201 Hersteller : ON-Semicoductor mmbfj202-d.pdf N-JFET 50mA 40V 350mW MMBFJ201 TMMBFJ201
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2930 Stücke:
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Anzahl Preis
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MMBFJ201 MMBFJ201 Hersteller : ON Semiconductor mmbfj202-d.pdf Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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