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MMBFJ309LT1G Transistor

Produktcode: 192071
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G onsemi mmbfj309lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
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MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G ONSEMI MMBFJ309LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
auf Bestellung 184 Stücke:
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MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
auf Bestellung 29401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
496+0.5 EUR
752+0.31 EUR
820+0.26 EUR
910+0.24 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 496 Stücke
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MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
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MMBFJ309LT1G Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ309LT1-D.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 30 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 5, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,225, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 3000 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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MMBFJ309LT1G mmbfj309lt1-d.pdf
MMBFJ309LT1G
Hersteller: onsemi
JFETs 25V 10mA
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MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G.PDF
MMBFJ309LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
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MMBFJ309LT1G 2353879.pdf
MMBFJ309LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
auf Bestellung 29401 Stücke:
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496+0.5 EUR
752+0.31 EUR
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MMBFJ309LT1G 2353879.pdf
MMBFJ309LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
auf Bestellung 29401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
496+0.5 EUR
752+0.31 EUR
820+0.26 EUR
910+0.24 EUR
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MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1-D.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 30 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 5, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,225, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 3000 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 799 Stücke:
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