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MMBFJ310LT1G
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MMBFJ310LT1G ONSEMI

mmbfj309lt1-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
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Technische Details MMBFJ310LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - MMBFJ310LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6.5V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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MMBFJ310LT1G
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 		MMBFJ310LT1G Hersteller : ONSEMI mmbfj309lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
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MMBFJ310LT1G MMBFJ310LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF MOSFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
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Produktcode: 116952
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mmbfj309lt1-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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MMBFJ310LT1G MMBFJ310LT1G Hersteller : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
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MMBFJ310LT1G MMBFJ310LT1G Hersteller : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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MMBFJ310LT1G MMBFJ310LT1G Hersteller : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
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MMBFJ310LT1G MMBFJ310LT1G Hersteller : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ310LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBFJ310LT1G MMBFJ310LT1G Hersteller : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ310LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6.5V
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MMBFJ310LT1G MMBFJ310LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
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MMBFJ310LT1G Hersteller : ON-Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf N-JFET 10mA 25V 225mW MMBFJ310 TMMBFJ310
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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MMBFJ310LT1G Hersteller : ON-Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf N-JFET 10mA 25V 225mW MMBFJ310 TMMBFJ310
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 100
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MMBFJ310LT1G Hersteller : ON-Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf N-JFET 10mA 25V 225mW MMBFJ310 TMMBFJ310
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 100
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MMBFJ310LT1G MMBFJ310LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFJ310LT1G MMBFJ310LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF MOSFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
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