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MMBFU310LT1G

MMBFU310LT1G onsemi

mmbfu310lt1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 25V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 225 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
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Technische Details MMBFU310LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBFU310LT1G - JFET-Transistor, JFET, 25 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 24mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBFU310LT1G MMBFU310LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfu310lt1-d.pdf Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFU310LT1G MMBFU310LT1G Hersteller : onsemi 6300619C610F6C9C4B85BB14C21AE97D1F8695061C1CB60E04824482E4E20497.pdf JFETs 25V 10mA
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MMBFU310LT1G MMBFU310LT1G Hersteller : onsemi mmbfu310lt1-d.pdf Description: JFET N-CH 25V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 225 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V
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MMBFU310LT1G MMBFU310LT1G Hersteller : ONSEMI 2353880.pdf Description: ONSEMI - MMBFU310LT1G - JFET-Transistor, JFET, 25 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 24mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 27009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBFU310LT1G MMBFU310LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfu310lt1-d.pdf Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFU310LT1G MMBFU310LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfu310lt1-d.pdf Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFU310LT1G MMBFU310LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfu310lt1-d.pdf Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFU310LT1G MMBFU310LT1G Hersteller : ONSEMI mmbfu310lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Drain-source voltage: 25V
Case: SOT23
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