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MMBT100

MMBT100 onsemi

pn100a-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details MMBT100 onsemi

Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23-3, Power - Max: 350 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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MMBT100 MMBT100 Hersteller : onsemi pn100a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
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