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MMBT2222A-7-F

MMBT2222A-7-F Diodes Zetex

189645770347121ds30041.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT2222A-7-F Diodes Zetex

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 310 mW.

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MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : Diodes Zetex 189645770347121ds30041.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : Diodes Zetex 189645770347121ds30041.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : Diodes Zetex 189645770347121ds30041.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30041.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 310 mW
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Mindestbestellmenge: 3000
MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBT2222A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 310mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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2460+ 0.029 EUR
3100+ 0.023 EUR
3580+ 0.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 1180
MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBT2222A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 310mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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3580+ 0.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 1180
MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30041.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 310 mW
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MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011756665_1-2543625.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW
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MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : Diodes Zetex 189645770347121ds30041.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011756665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT2222A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011756665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT2222A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : Diodes Inc 189645770347121ds30041.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222A-7-F MMBT2222A-7-F Hersteller : Diodes Zetex 189645770347121ds30041.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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