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MMBT2222A RFG

MMBT2222A_G2001.pdf
Produktcode: 193699
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2222A RFG MMBT2222A RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR MMBT2222A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.3W; SOT23-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.23 EUR
603+0.14 EUR
667+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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MMBT2222A RFG MMBT2222A RFG Taiwan Semiconductor MMBT2222A_G2001.pdf Bipolar Transistors - BJT 75V, 0.6A, NPN Bipolar Transistor
auf Bestellung 4326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.23 EUR
100+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.071 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMBT2222A RFG MMBT2222A RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT2222A_G2001.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
93+0.23 EUR
151+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MMBT2222A RFG
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.3W; SOT23-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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AnzahlPrivatkunde
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MMBT2222A RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 75V, 0.6A, NPN Bipolar Transistor
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MMBT2222A RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
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