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MMBT 2222A LT1

MMBT 2222A LT1 Infineon Technologies

smbt2222a_mmbt2222a-47230.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
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Technische Details MMBT 2222A LT1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 225 mW.

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MMBT2222ALT1 Hersteller : INFINEON mmbt2222lt1-d.pdf TRANSISTOR SWITCHING 40V NPN SOT-23
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MMBT2222ALT1 MMBT2222ALT1 Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222ALT1 MMBT2222ALT1 Hersteller : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
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MMBT2222ALT1 MMBT2222ALT1 Hersteller : onsemi MMBT2222LT1_D-1811600.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
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