MMBT2222AM3T5G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT2222AM3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2222AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 640 mW |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 640 mW |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222AM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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MMBT2222AM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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