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MMBT2222AT

MMBT2222AT Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

5399_MMBT2222AT%20SOT-523.PDF Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 40V 150MW 35@0.1MA,10V 600MA NPN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details MMBT2222AT Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC-89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SC-89-3, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 250 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT2222AT Hersteller : N/A mmbt2222att1-d.pdf 5399_MMBT2222AT%20SOT-523.PDF 05+ SOT-523
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MMBT2222AT MMBT2222AT Hersteller : ON Semiconductor 1071823020727095mmbt2222at.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523FL T/R
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Mounting Type: Surface Mount
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
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Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
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Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
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