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MMBT2369ALT1G

MMBT2369ALT1G ON Semiconductor

mmbt2369lt1d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
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Technische Details MMBT2369ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
9000+0.056 EUR
27000+0.051 EUR
51000+0.05 EUR
102000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.065 EUR
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21638 Stücke:
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924+0.19 EUR
1516+0.11 EUR
2045+0.083 EUR
2321+0.071 EUR
3356+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 924 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
527+0.17 EUR
772+0.11 EUR
923+0.093 EUR
1374+0.062 EUR
1603+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
557+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 557 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G On Semiconductor MMBT2369LT1-D.pdf Транзистори
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18+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
103+0.2 EUR
167+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN
auf Bestellung 42683 Stücke:
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10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 288 Stücke
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MMBT2369ALT1G ON-Semiconductor mmbt2369lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBT2369ALT1G--
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Hersteller: ON Semiconductor
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51000+0.05 EUR
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.065 EUR
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21638 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
924+0.19 EUR
1516+0.11 EUR
2045+0.083 EUR
2321+0.071 EUR
3356+0.049 EUR
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
417+0.2 EUR
527+0.17 EUR
772+0.11 EUR
923+0.093 EUR
1374+0.062 EUR
1603+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
557+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 557 Stücke
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: On Semiconductor
Транзистори
auf Bestellung 38 Stücke:
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18+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+0.33 EUR
103+0.2 EUR
167+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN
auf Bestellung 42683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1d.pdf
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 288 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON-Semiconductor
NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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500+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2369ALT1G--
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH