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MMBT2369ALT1G

MMBT2369ALT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT2369ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 225 mW
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6000+0.058 EUR
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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861+0.2 EUR
1421+0.12 EUR
1920+0.086 EUR
2189+0.073 EUR
3334+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 861 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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861+0.2 EUR
1421+0.12 EUR
1920+0.089 EUR
2189+0.076 EUR
3334+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 861 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G On Semiconductor MMBT2369LT1-D.pdf Транзистори
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN
auf Bestellung 30611 Stücke:
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9+0.36 EUR
14+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
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98+0.21 EUR
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500+0.096 EUR
1000+0.084 EUR
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15530 Stücke:
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569+0.44 EUR
1257+0.19 EUR
1627+0.13 EUR
2041+0.1 EUR
2321+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 569 Stücke
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 40...120
auf Bestellung 8950 Stücke:
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 654 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 288 Stücke
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MMBT2369ALT1G ON-Semiconductor mmbt2369lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
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300+0.12 EUR
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MMBT2369ALT1G--
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3116+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3116 Stücke
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 171000 Stücke:
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9000+0.056 EUR
27000+0.052 EUR
51000+0.05 EUR
102000+0.049 EUR
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+0.065 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21638 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
861+0.2 EUR
1421+0.12 EUR
1920+0.086 EUR
2189+0.073 EUR
3334+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 861 Stücke
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21638 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
861+0.2 EUR
1421+0.12 EUR
1920+0.089 EUR
2189+0.076 EUR
3334+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 861 Stücke
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1573+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1573 Stücke
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 654 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
541+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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Hersteller: On Semiconductor
Транзистори
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN
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14+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 225 mW
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Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
569+0.44 EUR
1257+0.19 EUR
1627+0.13 EUR
2041+0.1 EUR
2321+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 569 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT2369ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 40...120
auf Bestellung 8950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1d.pdf
MMBT2369ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 288 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON-Semiconductor
NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2369ALT1G--
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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