MMBT2369ALT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT2369ALT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMBT2369ALT1G nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.30 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 35082 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 27731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 35082 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN |
auf Bestellung 26500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2369ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2369ALT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT2369ALT1G | Hersteller : On Semiconductor |
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auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2369ALT1G-- |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |