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MMBT2369ALT1G

MMBT2369ALT1G ON Semiconductor

mmbt2369lt1d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT2369ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 225 mW
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Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2445+0.059 EUR
2470+0.056 EUR
3368+0.04 EUR
4116+0.031 EUR
6000+0.03 EUR
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Mindestbestellmenge: 2445
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 225 mW
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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644+0.22 EUR
1064+0.13 EUR
1134+0.12 EUR
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2445+0.051 EUR
2470+0.048 EUR
3368+0.034 EUR
4116+0.028 EUR
6000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 644
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Hersteller : ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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Anzahl Preis
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Hersteller : ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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300+0.24 EUR
470+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Hersteller : onsemi MMBT2369LT1_D-1811513.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN
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16+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.084 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.049 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Hersteller : ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14881 Stücke:
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MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2369lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2369ALT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt2369lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Anzahl Preis
500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMBT2369ALT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt2369lt1-d.pdf
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT2369ALT1G--
auf Bestellung 36000 Stücke:
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