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MMBT2369LT1G

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Produktcode: 25173
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details MMBT2369LT1G

  • Bipolar Transistor
  • Transistor Polarity:NPN
  • Power Dissipation, Pd:0.3W
  • DC Current Gain Min (hfe):20
  • Package/Case:SOT-23
  • C-E Breakdown Voltage:15V
  • DC Collector Current:0.2A
  • Leaded Process Compatible:Yes

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2369LT1G MMBT2369LT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf description Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 77783 Stücke:
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MMBT2369LT1G MMBT2369LT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf description Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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MMBT2369LT1G MMBT2369LT1G onsemi mmbt2369lt1-d.pdf description Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
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MMBT2369LT1 MMBT2369LT1 ON Semiconductor mmbt2369lt1-d.pdf description Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2369LT1 MMBT2369LT1 onsemi mmbt2369lt1-d.pdf description Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
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MMBT2369LT1G MMBT2369LT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf description Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2369LT1 ON mmbt2369lt1-d.pdf description
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MMBT2369LT1G description mmbt2369lt1d.pdf
MMBT2369LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2369LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2369LT1G description mmbt2369lt1-d.pdf
MMBT2369LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MMBT2369LT1 description mmbt2369lt1-d.pdf
MMBT2369LT1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 31731 Stücke:
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MMBT2369LT1 description mmbt2369lt1-d.pdf
MMBT2369LT1
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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3620+0.14 EUR
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MMBT2369LT1G description mmbt2369lt1d.pdf
MMBT2369LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
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Hersteller: ON
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