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MMBT2484LT1G

MMBT2484LT1G ON Semiconductor

mmbt2484lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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4630+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
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Technische Details MMBT2484LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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4695+0.03 EUR
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : onsemi mmbt2484lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 300000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.05 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
75000+0.04 EUR
150000+0.04 EUR
300000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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9837+0.06 EUR
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Anzahl Preis
9837+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9837
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auf Bestellung 60000 Stücke:
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Anzahl Preis
9837+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9837
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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3000+0.07 EUR
9000+0.05 EUR
27000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1467+0.10 EUR
2041+0.07 EUR
2359+0.06 EUR
5051+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
15000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1467
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5130 Stücke:
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1374+0.14 EUR
2000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1374
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt2484lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 250...800
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
745+0.10 EUR
876+0.08 EUR
1894+0.04 EUR
2000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt2484lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 250...800
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
745+0.10 EUR
876+0.08 EUR
1894+0.04 EUR
2000+0.04 EUR
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
608+0.24 EUR
610+0.23 EUR
611+0.22 EUR
614+0.21 EUR
615+0.20 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 608
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
614+0.24 EUR
615+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 614
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
626+0.24 EUR
995+0.14 EUR
1467+0.09 EUR
2041+0.07 EUR
2359+0.05 EUR
5051+0.02 EUR
6000+0.02 EUR
15000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 626
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : onsemi MMBT2484LT1_D-1811682.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
auf Bestellung 45868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.29 EUR
16+0.18 EUR
100+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : onsemi mmbt2484lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 302683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+0.30 EUR
96+0.18 EUR
156+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI 661355.pdf Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI 661355.pdf Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT2484LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt2484lt1-d.pdf NPN 100mA 60V 225mW -MHz MMBT2484LT1G TMMBT2484lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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