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MMBT2484LT1G

MMBT2484LT1G ON Semiconductor

mmbt2484lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT2484LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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auf Bestellung 114000 Stücke:
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3226+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.031 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.027 EUR
75000+0.024 EUR
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3226+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.031 EUR
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3237+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.031 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3237
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : onsemi mmbt2484lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 195000 Stücke:
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3000+0.059 EUR
6000+0.052 EUR
9000+0.049 EUR
15000+0.045 EUR
21000+0.043 EUR
30000+0.041 EUR
75000+0.037 EUR
150000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5130 Stücke:
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1484+0.099 EUR
2189+0.064 EUR
5000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1484
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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794+0.18 EUR
1336+0.11 EUR
1969+0.069 EUR
2725+0.048 EUR
3165+0.04 EUR
4673+0.026 EUR
6000+0.023 EUR
9000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 794
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20378 Stücke:
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Anzahl Preis
767+0.19 EUR
769+0.18 EUR
773+0.17 EUR
776+0.16 EUR
778+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 767
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20378 Stücke:
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Anzahl Preis
776+0.19 EUR
778+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
15000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 776
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : onsemi MMBT2484LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
auf Bestellung 38811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+0.27 EUR
16+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.081 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.058 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt2484lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Current gain: 250...800
Collector-emitter voltage: 60V
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
269+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 269
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt2484lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Current gain: 250...800
Collector-emitter voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
269+0.27 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
1500+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 269
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : onsemi mmbt2484lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 197723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+0.28 EUR
99+0.18 EUR
159+0.11 EUR
500+0.081 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI 661355.pdf Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI 661355.pdf Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT2484LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt2484lt1-d.pdf NPN 100mA 60V 225mW -MHz MMBT2484LT1G TMMBT2484lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH