MMBT2484LT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT2484LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBT2484LT1G nach Preis ab 0.029 EUR bis 0.51 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Collector current: 0.1A Current gain: 250...800 Type of transistor: NPN Collector-emitter voltage: 60V Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Collector current: 0.1A Current gain: 250...800 Type of transistor: NPN Collector-emitter voltage: 60V |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 25681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN |
auf Bestellung 138297 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 60V 225mW -MHz MMBT2484LT1G TMMBT2484lt1 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2484LT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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