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MMBT2907

MMBT2907 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

5399_MMBT2907%20SOT-23.PDF Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 40V 250MW 100@150MA,10V 600MA PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 670mV @ 50mA, 500mA
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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100+0.18 EUR
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Technische Details MMBT2907 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: 40V 250MW 100@150MA,10V 600MA PN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 250 mW, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 670mV @ 50mA, 500mA.

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MMBT2907 Hersteller : Yangjie Electronic Technology 5399_MMBT2907%20SOT-23.PDF MMBT2907
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MMBT2907 MMBT2907 Hersteller : ON Semiconductor 94959fsc.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907 MMBT2907 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_MMBT2907%20SOT-23.PDF Description: 40V 250MW 100@150MA,10V 600MA PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 670mV @ 50mA, 500mA
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MMBT2907 MMBT2907 Hersteller : onsemi / Fairchild PN2907-D.PDF Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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